Моя заявка (0)

PJD45P04_L2_00001, MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD45P04_L2_00001, MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018733734
Артикул
PJD45P04_L2_00001
Бренд
PanJit Semiconductors
Brand:
Panjit
Fall Time:
39 ns
Rise Time:
9.6 ns
Вес, г
0.3
Цена по запросу
(от 96,02 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы с режимом усиления 40 В МОП-транзисторы PANJIT с режимом усиления 40 В - это низковольтные МОП-транзисторы с сопротивлением при включении менее 1 Ом. Эти низковольтные МОП-транзисторы соответствуют стандарту AEC-Q101, который обычно требуется для устройств автомобильного класса. МОП-транзисторы с режимом усиления 40 В не содержат свинца и соответствуют стандарту ЕС RoHS 2.0. Типичные области применения - это системы с низким энергопотреблением, такие как ноутбуки, материнские платы для ПК, планшеты и другие портативные потребительские товары.

Технические параметры

Brand:Panjit
Fall Time:39 ns
Rise Time:9.6 ns
Вес, г0.3
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Panjit
Package/Case:TO-252AA-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:19 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:3000
ОсобенностиEnhancement Mode
Pd - Power Dissipation:63 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:8.6 ns
Typical Turn-Off Delay Time:77 ns
Id - Continuous Drain Current:45 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:25 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация