Моя заявка (0)

PJD45P03E-AU_L2_006A1, MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD45P03E-AU_L2_006A1, MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8030381187
Артикул
PJD45P03E-AU_L2_006A1
Бренд
PanJit Semiconductors
Brand:
Panjit
Fall Time:
39 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
9 ns
Цена по запросу
(от 233,67 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы с режимом усиления 40 В МОП-транзисторы PANJIT с режимом усиления 40 В - это низковольтные МОП-транзисторы с сопротивлением при включении менее 1 Ом. Эти низковольтные МОП-транзисторы соответствуют стандарту AEC-Q101, который обычно требуется для устройств автомобильного класса. МОП-транзисторы с режимом усиления 40 В не содержат свинца и соответствуют стандарту ЕС RoHS 2.0. Типичные области применения - это системы с низким энергопотреблением, такие как ноутбуки, материнские платы для ПК, планшеты и другие портативные потребительские товары.

Технические параметры

Brand:Panjit
Fall Time:39 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:9 ns
Вес, г0.3
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Panjit
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-252AA-3
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:32 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:3000
ОсобенностиEnhancement Mode
Pd - Power Dissipation:43 W
Typical Turn-On Delay Time:7 ns
Typical Turn-Off Delay Time:32 ns
Id - Continuous Drain Current:42 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Пороговое напряжение на затворе-25 V, +25 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)15 mOhms

Техническая документация