Моя заявка (0)

PJD30N04S-AU_L2_002A1, MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD30N04S-AU_L2_002A1, MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8031190626
Артикул
PJD30N04S-AU_L2_002A1
Бренд
PanJit Semiconductors
Brand:
Panjit
Fall Time:
3 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
3 ns
Цена по запросу
(от 160 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы с режимом усиления 40 В МОП-транзисторы PANJIT с режимом усиления 40 В - это низковольтные МОП-транзисторы с сопротивлением при включении менее 1 Ом. Эти низковольтные МОП-транзисторы соответствуют стандарту AEC-Q101, который обычно требуется для устройств автомобильного класса. МОП-транзисторы с режимом усиления 40 В не содержат свинца и соответствуют стандарту ЕС RoHS 2.0. Типичные области применения - это системы с низким энергопотреблением, такие как ноутбуки, материнские платы для ПК, планшеты и другие портативные потребительские товары.

Технические параметры

Brand:Panjit
Fall Time:3 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:3 ns
Вес, г0.3
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Panjit
Package/Case:TO-252AA-2
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:13 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
ОсобенностиEnhancement Mode
Pd - Power Dissipation:36 W
Typical Turn-On Delay Time:9 ns
Typical Turn-Off Delay Time:21 ns
Id - Continuous Drain Current:43 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.3 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)10.6 mOhms

Техническая документация