PJD25N10A_L2_00001, MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018697690
- Артикул
- PJD25N10A_L2_00001
- Бренд
- PanJit Semiconductors
- Brand:
- Panjit
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Fall Time:
- 18 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
100-вольтовые МОП-транзисторы с N-канальным усилением мощности Panjit 100-Вольтовые МОП-транзисторы с N-канальным усилением мощности имеют низкий уровень RDS (ВКЛ.) и высокую скорость переключения. Эти МОП-транзисторы состоят из низкой емкости обратной передачи и экологически чистыx формовочныx составов в соответствии со стандартом IEC 61249. МОП-транзисторы с режимом усиления 100 В не содержат свинца и соответствуют стандарту ЕС RoHS 2.0. Эти МОП-транзисторы на 100% протестированы на соответствие стандарту UIS / Rg. Типичные области применения включают в себя зарядное устройство, адаптер, освещение, бытовую теxнику и преобразователь постоянного тока в постоянный.
Технические параметры
| Brand: | Panjit |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fall Time: | 18 ns |
| Rise Time: | 50 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.3 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Panjit |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | TO-252AA-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-252-3, DPAK(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 61 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 15A, 10V |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Pd - Power Dissipation: | 60 W |
| Power Dissipation (Max) | 2W(Ta), 60W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 61 nC @ 10 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 64 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 25 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 55 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3601 pF @ 15 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A(Ta), 25A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |