PJD25N03_L2_00001, MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018663279
- Артикул
- PJD25N03_L2_00001
- Бренд
- PanJit Semiconductors
- Brand:
- Panjit
- Fall Time:
- 3.8 ns
- Rise Time:
- 11 ns
- Вес, г
- 0.3
Цена по запросу
(от 50,30 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Panjit |
| Fall Time: | 3.8 ns |
| Rise Time: | 11 ns |
| Вес, г | 0.3 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Panjit |
| Package/Case: | TO-252AA-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 4.3 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Pd - Power Dissipation: | 25 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 17 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 25 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 33 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |