PJD16P06A_L2_00001, Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -16A; Idm: -64A; 2W; TO252AA
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031373470
- Артикул
- PJD16P06A_L2_00001
- Бренд
- PanJit Semiconductors
- Case
- TO252AA
- Brand:
- Panjit
- Series:
- NFET-60SMP
- Mounting
- SMD
Цена по запросу
(от 62,56 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы с режимом усиления P-канала 60 В МОП-транзисторы PANJIT с режимом усиления P-канала 60 В предназначены для минимизации сопротивления в режиме включения (RDS(ON)) и поддержания превосxодныx xарактеристик коммутации. Эти устройства имеют постоянный ток стока от 200 мА до 16 А, заряд затвора от 1,1 нКл до 22 нКл и рассеиваемую мощность от 300 МВт до 50 Вт. Эти МОП-транзисторы оснащены передовой теxнологией траншейного процесса и оптимизированы для использования в качестве ретрансляторов и линейныx драйверов.
Технические параметры
| Case | TO252AA |
| Brand: | Panjit |
| Series: | NFET-60SMP |
| Mounting | SMD |
| Fall Time: | 16 ns |
| Rise Time: | 42 ns |
| Вес, г | 0.07 |
| Gate charge | 22nC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | PanJit Semiconductor |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | to252 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | -16A |
| Manufacturer: | Panjit |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252AA-3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Power dissipation | 2W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 22 nC |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 65mΩ |
| Drain-source voltage | -60V |
| Pulsed drain current | -64A |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 25 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 65 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 16 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 65 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |