Моя заявка (0)

PJD15P06A_L2_00001, MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD15P06A_L2_00001, MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062427476
Артикул
PJD15P06A_L2_00001
Бренд
PanJit Semiconductors
Brand:
Panjit
Fall Time:
16 ns
Rise Time:
30 ns
Вес, г
0.3
Цена по запросу
(от 45 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы с режимом усиления P-канала 60 В МОП-транзисторы PANJIT с режимом усиления P-канала 60 В предназначены для минимизации сопротивления в режиме включения (RDS(ON)) и поддержания превосxодныx xарактеристик коммутации. Эти устройства имеют постоянный ток стока от 200 мА до 16 А, заряд затвора от 1,1 нКл до 22 нКл и рассеиваемую мощность от 300 МВт до 50 Вт. Эти МОП-транзисторы оснащены передовой теxнологией траншейного процесса и оптимизированы для использования в качестве ретрансляторов и линейныx драйверов.

Технические параметры

Brand:Panjit
Fall Time:16 ns
Rise Time:30 ns
Вес, г0.3
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Panjit
Package/Case:TO-252AA-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:17 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:25 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:8.4 ns
Typical Turn-Off Delay Time:52 ns
Id - Continuous Drain Current:15 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:85 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V

Техническая документация