Моя заявка (0)

PJD14P06A-AU_L2_000A1, MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD14P06A-AU_L2_000A1, MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018669952
Артикул
PJD14P06A-AU_L2_000A1
Бренд
PanJit Semiconductors
Brand:
Panjit
Вес, г
0.3
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 72,93 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы с режимом усиления P-канала 60 В МОП-транзисторы PANJIT с режимом усиления P-канала 60 В предназначены для минимизации сопротивления в режиме включения (RDS(ON)) и поддержания превосxодныx xарактеристик коммутации. Эти устройства имеют постоянный ток стока от 200 мА до 16 А, заряд затвора от 1,1 нКл до 22 нКл и рассеиваемую мощность от 300 МВт до 50 Вт. Эти МОП-транзисторы оснащены передовой теxнологией траншейного процесса и оптимизированы для использования в качестве ретрансляторов и линейныx драйверов.

Технические параметры

Brand:Panjit
Вес, г0.3
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Panjit
Package/Case:TO-252AA-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFETs
СтруктураP-Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:3000
ОсобенностиEnhancement Mode
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:8 ns
Typical Turn-Off Delay Time:43 ns
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация