Моя заявка (0)

PJD11N06A_L2_00001, MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJD11N06A_L2_00001, MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8033026839
Артикул
PJD11N06A_L2_00001
Бренд
PanJit Semiconductors
Brand:
Panjit
Fall Time:
6.4 ns
Rise Time:
9.7 ns
Вес, г
0.3
Цена по запросу
(от 80,70 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:Panjit
Fall Time:6.4 ns
Rise Time:9.7 ns
Вес, г0.3
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Panjit
Package/Case:TO-252AA-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:9.3 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
ОсобенностиEnhancement Mode
Pd - Power Dissipation:25 W
Typical Turn-On Delay Time:3.2 ns
Typical Turn-Off Delay Time:18.5 ns
Id - Continuous Drain Current:11 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)90 mOhms

Техническая документация