Моя заявка (0)

PJD11N06A-AU_L2_000A1, null 75mOhm@6A,10V null TO-252AA MOSFETs

PJD11N06A-AU_L2_000A1, null 75mOhm@6A,10V null TO-252AA MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026302925
Артикул
PJD11N06A-AU_L2_000A1
Бренд
PanJit Semiconductors
Brand:
Panjit
Fall Time:
6.4 ns
Rise Time:
9.7 ns
Вес, г
0.45
Цена по запросу
(от 32,44 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:Panjit
Fall Time:6.4 ns
Rise Time:9.7 ns
Вес, г0.45
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусTO-252
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Panjit
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-252AA-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:9.3 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Power Dissipation (Pd)2.4W;30W
Особенности-
Pd - Power Dissipation:30 W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)9.3nC@10V
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:3.2 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)509pF@15V
Typical Turn-Off Delay Time:18.5 ns
Continuous Drain Current (Id)3.7A;11A
Id - Continuous Drain Current:11 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:90 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)75mΩ@6A, 10V

Техническая документация