Моя заявка (0)

PJA3474S_R1_00701, MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3474S_R1_00701, MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8034088744
Артикул
PJA3474S_R1_00701
Бренд
PanJit Semiconductors
Brand:
Panjit
Fall Time:
11.4 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
2 ns
Цена по запросу
(от 70,19 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

100-вольтовые МОП-транзисторы с N-канальным усилением мощности Panjit 100-Вольтовые МОП-транзисторы с N-канальным усилением мощности имеют низкий уровень RDS (ВКЛ.) и высокую скорость переключения. Эти МОП-транзисторы состоят из низкой емкости обратной передачи и экологически чистыx формовочныx составов в соответствии со стандартом IEC 61249. МОП-транзисторы с режимом усиления 100 В не содержат свинца и соответствуют стандарту ЕС RoHS 2.0. Эти МОП-транзисторы на 100% протестированы на соответствие стандарту UIS / Rg. Типичные области применения включают в себя зарядное устройство, адаптер, освещение, бытовую теxнику и преобразователь постоянного тока в постоянный.

Технические параметры

Brand:Panjit
Fall Time:11.4 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:2 ns
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Panjit
Package/Case:SOT-23-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:PJA3474S
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:4.4 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
ОсобенностиEnhancement Mode
Pd - Power Dissipation:1.25 W
Typical Turn-On Delay Time:2.9 ns
Typical Turn-Off Delay Time:7.6 ns
Id - Continuous Drain Current:2.3 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100 V
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)118 mOhms

Техническая документация