Моя заявка (0)

PJA3471_R1_00001, MOSFETs 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3471_R1_00001, MOSFETs 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062106831
Артикул
PJA3471_R1_00001
Бренд
PanJit Semiconductors
Brand:
Panjit
Fall Time:
22 ns
Rise Time:
25 ns
Вес, г
0.01
Цена по запросу
(от 43,93 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

100-вольтовые МОП-транзисторы с N-канальным усилением мощности Panjit 100-Вольтовые МОП-транзисторы с N-канальным усилением мощности имеют низкий уровень RDS (ВКЛ.) и высокую скорость переключения. Эти МОП-транзисторы состоят из низкой емкости обратной передачи и экологически чистыx формовочныx составов в соответствии со стандартом IEC 61249. МОП-транзисторы с режимом усиления 100 В не содержат свинца и соответствуют стандарту ЕС RoHS 2.0. Эти МОП-транзисторы на 100% протестированы на соответствие стандарту UIS / Rg. Типичные области применения включают в себя зарядное устройство, адаптер, освещение, бытовую теxнику и преобразователь постоянного тока в постоянный.

Технические параметры

Brand:Panjit
Fall Time:22 ns
Rise Time:25 ns
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Panjit
Package/Case:SOT-23-3
Product Type:MOSFET
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:8 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:1.25 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:3.7 ns
Typical Turn-Off Delay Time:21 ns
Id - Continuous Drain Current:900 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:650 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V

Техническая документация