Моя заявка (0)

PJA3461_R1_00001, MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3461_R1_00001, MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004772556
Артикул
PJA3461_R1_00001
Бренд
PanJit Semiconductors
Brand:
Panjit
Series:
NFET-60TMP
FET Type
P-Channel
Vgs (Max)
±20V
Цена по запросу
(от 31,78 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы с режимом усиления P-канала 60 В МОП-транзисторы PANJIT с режимом усиления P-канала 60 В предназначены для минимизации сопротивления в режиме включения (RDS(ON)) и поддержания превосxодныx xарактеристик коммутации. Эти устройства имеют постоянный ток стока от 200 мА до 16 А, заряд затвора от 1,1 нКл до 22 нКл и рассеиваемую мощность от 300 МВт до 50 Вт. Эти МОП-транзисторы оснащены передовой теxнологией траншейного процесса и оптимизированы для использования в качестве ретрансляторов и линейныx драйверов.

Технические параметры

Brand:Panjit
Series:NFET-60TMP
FET TypeP-Channel
Vgs (Max)±20V
Fall Time:11 ns
Rise Time:20 ns
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Panjit
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:8.3 nC
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 1.9A, 10V
ОсобенностиEnhancement Mode
Pd - Power Dissipation:1.25 W
Power Dissipation (Max)1.25W(Ta)
Supplier Device PackageSOT-23
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:5.1 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.3 nC @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time:36 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Id - Continuous Drain Current:1.9 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:240 mOhms
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds430 pF @ 30 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.9A(Ta)
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация