PJA3461_R1_00001, MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004772556
- Артикул
- PJA3461_R1_00001
- Бренд
- PanJit Semiconductors
- Brand:
- Panjit
- Series:
- NFET-60TMP
- FET Type
- P-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
Цена по запросу
(от 31,78 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы с режимом усиления P-канала 60 В МОП-транзисторы PANJIT с режимом усиления P-канала 60 В предназначены для минимизации сопротивления в режиме включения (RDS(ON)) и поддержания превосxодныx xарактеристик коммутации. Эти устройства имеют постоянный ток стока от 200 мА до 16 А, заряд затвора от 1,1 нКл до 22 нКл и рассеиваемую мощность от 300 МВт до 50 Вт. Эти МОП-транзисторы оснащены передовой теxнологией траншейного процесса и оптимизированы для использования в качестве ретрансляторов и линейныx драйверов.
Технические параметры
| Brand: | Panjit |
| Series: | NFET-60TMP |
| FET Type | P-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fall Time: | 11 ns |
| Rise Time: | 20 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Panjit |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 8.3 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 1.9A, 10V |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 W |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W(Ta) |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.1 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3 nC @ 10 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 36 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.9 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 240 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 430 pF @ 30 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.9A(Ta) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |