Моя заявка (0)

PJA3449-AU_R1_000A1, MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3449-AU_R1_000A1, MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026932696
Артикул
PJA3449-AU_R1_000A1
Бренд
PanJit Semiconductors
Brand:
Panjit
Fall Time:
28 ns
Rise Time:
26 ns
Вес, г
0.01
Цена по запросу
(от 28,58 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы с режимом усиления 40 В МОП-транзисторы PANJIT с режимом усиления 40 В - это низковольтные МОП-транзисторы с сопротивлением при включении менее 1 Ом. Эти низковольтные МОП-транзисторы соответствуют стандарту AEC-Q101, который обычно требуется для устройств автомобильного класса. МОП-транзисторы с режимом усиления 40 В не содержат свинца и соответствуют стандарту ЕС RoHS 2.0. Типичные области применения - это системы с низким энергопотреблением, такие как ноутбуки, материнские платы для ПК, планшеты и другие портативные потребительские товары.

Технические параметры

Brand:Panjit
Fall Time:28 ns
Rise Time:26 ns
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Panjit
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:7.3 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:3000
ОсобенностиEnhancement Mode
Pd - Power Dissipation:1.25 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:3.4 ns
Typical Turn-Off Delay Time:43 ns
Id - Continuous Drain Current:2.2 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:160 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.1 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация