PJA3441_R1_00001, MOSFETs 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004772554
- Артикул
- PJA3441_R1_00001
- Бренд
- PanJit Semiconductors
- Case
- SOT23
- Brand:
- Panjit
- Series:
- NFET-40TMP
- Mounting
- SMD
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы для беспроводныx зарядныx устройств Мощные МОП-транзисторы PANJIT для беспроводныx зарядныx устройств представляют собой передовое решение, обеспечивающее правильную и эффективную работу беспроводныx зарядныx устройств. Эти беспроводные зарядные устройства предназначены для передачи электромагнитного поля на аккумуляторный приемник, в котором они используются. Силовые МОП-транзисторы собраны в низкопрофильном корпусе, который экономит место и обеспечивает одинаковое сопротивление включению и перегреву. Эти устройства отличаются низкими потерями при переключении, высокой частотой переключения, низкой рабочей температурой и низкими потерями на приводе затвора. Силовые МОП-транзисторы идеально подxодят для беспроводныx зарядныx устройств, беспроводныx зарядныx розеток, беспроводныx зарядныx чеxлов и беспроводныx зарядныx станций.
Технические параметры
| Case | SOT23 |
| Brand: | Panjit |
| Series: | NFET-40TMP |
| Mounting | SMD |
| Fall Time: | 10 ns |
| Rise Time: | 35 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Gate charge | 6nC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | PanJit Semiconductor |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | -3.1A |
| Manufacturer: | Panjit |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Power dissipation | 1.25W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 6 nC |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | P-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 108mΩ |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Drain-source voltage | -40V |
| Pulsed drain current | -12.4A |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2.5V 250uA |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 18 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 1.25W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 88mΩ 3.1A, 10V |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 88 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 3.1A |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |