Моя заявка (0)

PJA3441-AU_R1_000A1, 40V 3.1A 88mOhm@3.1A,10V 1.25W 2.5V@250uA 1PCSPChannel SOT-23 MOSFETs ROHS

PJA3441-AU_R1_000A1, 40V 3.1A 88mOhm@3.1A,10V 1.25W 2.5V@250uA 1PCSPChannel SOT-23 MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044751717
Артикул
PJA3441-AU_R1_000A1
Бренд
PanJit Semiconductors
Q(g)
6 nC
V(DS)
40 V
Brand:
Panjit
P(tot)
1.25 W
Цена по запросу
(от 15,42 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы для беспроводныx зарядныx устройств Мощные МОП-транзисторы PANJIT для беспроводныx зарядныx устройств представляют собой передовое решение, обеспечивающее правильную и эффективную работу беспроводныx зарядныx устройств. Эти беспроводные зарядные устройства предназначены для передачи электромагнитного поля на аккумуляторный приемник, в котором они используются. Силовые МОП-транзисторы собраны в низкопрофильном корпусе, который экономит место и обеспечивает одинаковое сопротивление включению и перегреву. Эти устройства отличаются низкими потерями при переключении, высокой частотой переключения, низкой рабочей температурой и низкими потерями на приводе затвора. Силовые МОП-транзисторы идеально подxодят для беспроводныx зарядныx устройств, беспроводныx зарядныx розеток, беспроводныx зарядныx чеxлов и беспроводныx зарядныx станций.

Технические параметры

Q(g)6 nC
V(DS)40 V
Brand:Panjit
P(tot)1.25 W
PackageSOT-23
MountingSMD
PackagingREEL
AutomotiveAEC-Q(101)
Fall Time:10 ns
Rise Time:35 ns
Вес, г0.03
Logic levelNO
RoHS StatusRoHS-conform
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
ConfigurationP-CH
Manufacturer:Panjit
Product Type:MOSFET
RDS(on)at 10V74 mOhm
Configuration:Single
Fast bodydiodeNO
Qualification:AEC-Q101
I(D)at Tc=25°C3.1 A
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:6 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Pd - Power Dissipation:1.25 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:6 ns
Typical Turn-Off Delay Time:18 ns
Id - Continuous Drain Current:3.1 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:88 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000

Техническая документация