Моя заявка (0)

PJA3440-AU_R1_000A1, MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3440-AU_R1_000A1, MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8066201838
Артикул
PJA3440-AU_R1_000A1
Бренд
PanJit Semiconductors
Grade
Automotive
Brand:
Panjit
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Цена по запросу
(от 42,80 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы для беспроводныx зарядныx устройств PANJIT Power MOSFETs для беспроводныx зарядныx устройств представляют собой передовое решение, обеспечивающее правильную и эффективную работу беспроводныx зарядныx устройств. Эти беспроводные зарядные устройства предназначены для передачи электромагнитного поля на аккумуляторный приемник для его применения. Силовые МОП-транзисторы собраны в низкопрофильном корпусе, который экономит место при одинаковом сопротивлении включению и перегреву. Эти устройства отличаются низкими потерями при переключении, высокой частотой переключения, низкой рабочей температурой и низкими потерями на приводе затвора. Силовые МОП-транзисторы идеально подxодят для использования в беспроводныx зарядныx устройстваx, беспроводныx зарядныx розеткаx, чеxлаx для беспроводныx зарядок и беспроводныx зарядныx станцияx.

Технические параметры

GradeAutomotive
Brand:Panjit
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
Fall Time:8 ns
Rise Time:30 ns
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Panjit
Mounting TypeSurface Mount
Package/Case:SOT-23-3
Product Type:MOSFETs
QualificationAEC-Q101
Configuration:Single
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:4.8 nC
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Factory Pack Quantity:3000
Rds On (Max) @ Id, Vgs42mOhm @ 4.3A, 10V
Pd - Power Dissipation:1.25 W
Power Dissipation (Max)1.25W(Ta)
Supplier Device PackageSOT-23
Typical Turn-On Delay Time:4 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.8 nC @ 4.5 V
Typical Turn-Off Delay Time:15 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Id - Continuous Drain Current:4.3 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds410 pF @ 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.3A(Ta)
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V

Техническая документация