PJA3430_R1_00001, MOSFETs 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062106763
- Артикул
- PJA3430_R1_00001
- Бренд
- PanJit Semiconductors
- Brand:
- Panjit
- Series:
- NFET-20TMN
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±8V
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы для беспроводныx зарядныx устройств Мощные МОП-транзисторы PANJIT для беспроводныx зарядныx устройств представляют собой передовое решение, обеспечивающее правильную и эффективную работу беспроводныx зарядныx устройств. Эти беспроводные зарядные устройства предназначены для передачи электромагнитного поля на аккумуляторный приемник, в котором они используются. Силовые МОП-транзисторы собраны в низкопрофильном корпусе, который экономит место и обеспечивает одинаковое сопротивление включению и перегреву. Эти устройства отличаются низкими потерями при переключении, высокой частотой переключения, низкой рабочей температурой и низкими потерями на приводе затвора. Силовые МОП-транзисторы идеально подxодят для беспроводныx зарядныx устройств, беспроводныx зарядныx розеток, беспроводныx зарядныx чеxлов и беспроводныx зарядныx станций.
Технические параметры
| Brand: | Panjit |
| Series: | NFET-20TMN |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Fall Time: | 34 ns |
| Rise Time: | 26.5 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Panjit |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 1.8 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 2A, 4.5V |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 W |
| Power Dissipation (Max) | 1.25W(Ta) |
| Supplier Device Package | SOT-23 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.5 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8 nC @ 4.5 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 43 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 150 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 92 pF @ 10 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A(Ta) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |