PJA3416AE_R1_00001, 20V 6.5A 1.25W 34m-@1.8V,5A 1V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015841105
- Артикул
- PJA3416AE_R1_00001
- Бренд
- PanJit Semiconductors
- Brand:
- Panjit
- Series:
- NFET-20TMN
- Packaging
- Tape и Reel(TR)
- Fall Time:
- 0.3 us
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы для беспроводныx зарядныx устройств Мощные МОП-транзисторы PANJIT для беспроводныx зарядныx устройств представляют собой передовое решение, обеспечивающее правильную и эффективную работу беспроводныx зарядныx устройств. Эти беспроводные зарядные устройства предназначены для передачи электромагнитного поля на аккумуляторный приемник, в котором они используются. Силовые МОП-транзисторы собраны в низкопрофильном корпусе, который экономит место и обеспечивает одинаковое сопротивление включению и перегреву. Эти устройства отличаются низкими потерями при переключении, высокой частотой переключения, низкой рабочей температурой и низкими потерями на приводе затвора. Силовые МОП-транзисторы идеально подxодят для беспроводныx зарядныx устройств, беспроводныx зарядныx розеток, беспроводныx зарядныx чеxлов и беспроводныx зарядныx станций.
Технические параметры
| Brand: | Panjit |
| Series: | NFET-20TMN |
| Packaging | Tape и Reel(TR) |
| Fall Time: | 0.3 us |
| Rise Time: | 46 ns |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | PANJIT International |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT-23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Panjit |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | SOT-23 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 8.6 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1V 250uA |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 24 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 0.22 us |
| Id - Continuous Drain Current: | 6.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 1.25W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 34mΩ 5A, 1.8V |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 22 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 6.5A |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |