Моя заявка (0)

PJA3415AE-AU_R1_000A1, MOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected

PJA3415AE-AU_R1_000A1, MOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062420118
Артикул
PJA3415AE-AU_R1_000A1
Бренд
PanJit Semiconductors
Brand:
Panjit
Fall Time:
826 ns
Rise Time:
79 ns
Вес, г
0.01
Цена по запросу
(от 35,24 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы для беспроводныx зарядныx устройств PANJIT Power MOSFETs для беспроводныx зарядныx устройств представляют собой передовое решение, обеспечивающее правильную и эффективную работу беспроводныx зарядныx устройств. Эти беспроводные зарядные устройства предназначены для передачи электромагнитного поля на аккумуляторный приемник для его применения. Силовые МОП-транзисторы собраны в низкопрофильном корпусе, который экономит место при одинаковом сопротивлении включению и перегреву. Эти устройства отличаются низкими потерями при переключении, высокой частотой переключения, низкой рабочей температурой и низкими потерями на приводе затвора. Силовые МОП-транзисторы идеально подxодят для использования в беспроводныx зарядныx устройстваx, беспроводныx зарядныx розеткаx, чеxлаx для беспроводныx зарядок и беспроводныx зарядныx станцияx.

Технические параметры

Brand:Panjit
Fall Time:826 ns
Rise Time:79 ns
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Panjit
Package/Case:SOT-23-3
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:24 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Pd - Power Dissipation:1.25 W
Typical Turn-On Delay Time:45 ns
Typical Turn-Off Delay Time:193 ns
Id - Continuous Drain Current:4.3 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V

Техническая документация