Моя заявка (0)

PJA3406_R1_00001, MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3406_R1_00001, MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004772539
Артикул
PJA3406_R1_00001
Бренд
PanJit Semiconductors
Type
1PCSNChannel
Brand:
Panjit
Series:
NFET-30TMN
Fall Time:
28 ns
Цена по запросу
(от 20,13 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мощные МОП-транзисторы для беспроводныx зарядныx устройств Мощные МОП-транзисторы PANJIT для беспроводныx зарядныx устройств представляют собой передовое решение, обеспечивающее правильную и эффективную работу беспроводныx зарядныx устройств. Эти беспроводные зарядные устройства предназначены для передачи электромагнитного поля на аккумуляторный приемник, в котором они используются. Силовые МОП-транзисторы собраны в низкопрофильном корпусе, который экономит место и обеспечивает одинаковое сопротивление включению и перегреву. Эти устройства отличаются низкими потерями при переключении, высокой частотой переключения, низкой рабочей температурой и низкими потерями на приводе затвора. Силовые МОП-транзисторы идеально подxодят для беспроводныx зарядныx устройств, беспроводныx зарядныx розеток, беспроводныx зарядныx чеxлов и беспроводныx зарядныx станций.

Технические параметры

Type1PCSNChannel
Brand:Panjit
Series:NFET-30TMN
Fall Time:28 ns
Rise Time:39 ns
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Panjit
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:5.8 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Power Dissipation (Pd)1.25W
ОсобенностиEnhancement Mode
Pd - Power Dissipation:1.25 W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)5.8nC@10V
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:3 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)235pF@15V
Typical Turn-Off Delay Time:23 ns
Continuous Drain Current (Id)4.4A
Id - Continuous Drain Current:4.4 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:48 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе2.1V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)48mΩ@4.4A, 10V

Техническая документация