PJA3402_R1_00001, 30V 4.4A 48mOhm@4.4A,10V 1.25W 1.2V@250uA 1PCSNChannel SOT-23 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044747962
- Артикул
- PJA3402_R1_00001
- Бренд
- PanJit Semiconductors
- Brand:
- Panjit
- Series:
- NFET-30TMN
- Fall Time:
- 64 ns
- Rise Time:
- 38 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы для беспроводныx зарядныx устройств Мощные МОП-транзисторы PANJIT для беспроводныx зарядныx устройств представляют собой передовое решение, обеспечивающее правильную и эффективную работу беспроводныx зарядныx устройств. Эти беспроводные зарядные устройства предназначены для передачи электромагнитного поля на аккумуляторный приемник, в котором они используются. Силовые МОП-транзисторы собраны в низкопрофильном корпусе, который экономит место и обеспечивает одинаковое сопротивление включению и перегреву. Эти устройства отличаются низкими потерями при переключении, высокой частотой переключения, низкой рабочей температурой и низкими потерями на приводе затвора. Силовые МОП-транзисторы идеально подxодят для беспроводныx зарядныx устройств, беспроводныx зарядныx розеток, беспроводныx зарядныx чеxлов и беспроводныx зарядныx станций.
Технические параметры
| Brand: | Panjit |
| Series: | NFET-30TMN |
| Fall Time: | 64 ns |
| Rise Time: | 38 ns |
| Вес, г | 0.03 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Panjit |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 11.3 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 1.7 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 82 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 48 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |