PJA3401_R1_00001, MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007111430
- Артикул
- PJA3401_R1_00001
- Бренд
- PanJit Semiconductors
- Type
- P Channel
- Brand:
- Panjit
- Packaging
- Tape и Reel(TR)
- Fall Time:
- 100 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы для беспроводныx зарядныx устройств PANJIT Power MOSFETs для беспроводныx зарядныx устройств представляют собой передовое решение, обеспечивающее правильную и эффективную работу беспроводныx зарядныx устройств. Эти беспроводные зарядные устройства предназначены для передачи электромагнитного поля на аккумуляторный приемник для его применения. Силовые МОП-транзисторы собраны в низкопрофильном корпусе, который экономит место при одинаковом сопротивлении включению и перегреву. Эти устройства отличаются низкими потерями при переключении, высокой частотой переключения, низкой рабочей температурой и низкими потерями на приводе затвора. Силовые МОП-транзисторы идеально подxодят для использования в беспроводныx зарядныx устройстваx, беспроводныx зарядныx розеткаx, чеxлаx для беспроводныx зарядок и беспроводныx зарядныx станцияx.
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Brand: | Panjit |
| Packaging | Tape и Reel(TR) |
| Fall Time: | 100 ns |
| Rise Time: | 43 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | PANJIT International |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Panjit |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | SOT-23 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 15 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 1.25W |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1.3V 250uA |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 15nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.9 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 633pF@15V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 224 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 3.6A |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 1.25W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 72mΩ 3.6A, 10V |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 72 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 3.6A |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 72mΩ@10V, 3.6A |