Моя заявка (0)

PJA138K-AU_R1_000A1, MOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected

PJA138K-AU_R1_000A1, MOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018656659
Артикул
PJA138K-AU_R1_000A1
Бренд
PanJit Semiconductors
Q(g)
0.63 nC
V(DS)
50 V
Brand:
Panjit
P(tot)
0.5 W
Цена по запросу
(от 13,72 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Q(g)0.63 nC
V(DS)50 V
Brand:Panjit
P(tot)0.5 W
PackageSOT-23
MountingSMD
PackagingREEL
AutomotiveAEC-Q(101)
Fall Time:23 ns
Rise Time:19.2 ns
Вес, г0.01
Logic levelNO
RoHS StatusRoHS-conform
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
ConfigurationN-CH
Manufacturer:Panjit
Package/Case:SOT-23-3
Product Type:MOSFETs
RDS(on)at 10V960 mOhm
Configuration:Single
Fast bodydiodeNO
Qualification:AEC-Q101
I(D)at Tc=25°C0.5 A
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:630 pC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Особенностиинтеллектуальный ключ с защитой
Pd - Power Dissipation:500 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:2.2 ns
Typical Turn-Off Delay Time:6.2 ns
Id - Continuous Drain Current:500 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:4.5 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:50 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.5 V
Пороговое напряжение на затворе0.8…1.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В50
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация