PHT6NQ10T,135, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 100В; 6,5А; Idm: 26А; 8,3Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8073010660
- Артикул
- PHT6NQ10T,135
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Width
- 3.7mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 76,36 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-канальный, 100 В, 6,5 А, SOT223; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id:3 А; Напряжение источника стока Vds: 100 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,09 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs:3 В; Мощность
Технические параметры
| Width | 3.7mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-223 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.8 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 90 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 3 A |