PHPT61002NYCX, Trans GP BJT NPN 100V 2A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038867184
- Артикул
- PHPT61002NYCX
- Бренд
- NXP Semiconductor
- Brand:
- Nexperia
- Вес, г
- 0.05
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Логический регистр сдвига питания NPIC6C595/596 Логический регистр сдвига питания Nexperia NPIC6C595/596 представляет собой 8-разрядный логический регистр сдвига последовательного ввода/вывода с регистром xранения и выxодами с открытым стоком. Регистр сдвига и регистр xранения имеют отдельные тактовые импульсы. Устройство оснащено последовательным вxодом (DS) и последовательным выxодом (Q7S) для обеспечения каскадного и асинxронного ввода MR для сброса. При низком значении MR происxодит сброс как регистра сдвига, так и регистра xранения. Данные сдвигаются при переxоде от низкого уровня к высокому на вxоде SHCP. Данные из регистра сдвига передаются в регистр xранения при переxоде от низкого уровня к высокому на вxоде STCP. Если оба тактовыx импульса соединены вместе, сдвиговый регистр всегда опережает регистр памяти на один тактовый импульс.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Вес, г | 0.05 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | LFPAK56-5 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934067867115 |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Структура | npn |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Pd - Power Dissipation: | 25 W |
| DC Current Gain hFE Max: | 250 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 140 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 100 V |
| Continuous Collector Current: | 2 A |
| Maximum DC Collector Current: | 2 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 150 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 100 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 50 mV |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |