Моя заявка (0)

PHPT60610NYX, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 10 A, 1.5 W, SOT-669, Surface Mount

PHPT60610NYX, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 10 A, 1.5 W, SOT-669, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8270973340
Артикул
PHPT60610NYX
Бренд
Nexperia B.V.
RoHS
Details
Brand
Nexperia
Packaging
Reel
Technology
Si
Цена по запросу
(от 165 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT 10A NPN High Power Bipolar Transistor

Технические параметры

RoHSDetails
BrandNexperia
PackagingReel
TechnologySi
Вес, г0.03
ManufacturerNexperia
КорпусSOT-669
ConfigurationSingle
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CasePowerSO-8
Product CategoryBipolar Transistors-BJT
Структураnpn
Transistor PolarityNPN
ТехнологияSi
Factory Pack Quantity1500
Вид монтажаSMD/SMT
Pd - Power Dissipation25 W
DC Current Gain hFE Max410 at 500 mA, 2 V
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Gain Bandwidth Product fT140 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO7 V
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокLFPAK-56-4
Collector- Base Voltage VCBO60 V
Continuous Collector Current10 A
Maximum DC Collector Current20 A
Maximum Operating Temperature+175 C
Minimum Operating Temperature-55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min240 at 500 mA, 2 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max60 V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Collector-Emitter Saturation Voltage250 mV
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности25 W
Другие названия товара №934068583115
Размер фабричной упаковки1500
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Непрерывный коллекторный ток10 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Максимальный постоянный ток коллектора20 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер250 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.410 at 500 mA, 2 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)240 at 500 mA, 2 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)140 MHz

Техническая документация