Моя заявка (0)

PHPT60603PYX, 100nA 60V 3W 75@3A,2V 3A 110MHz 240mV@3A,300mA PNP +175-@(Tj) SOT-669 Bipolar Transistors - BJT

PHPT60603PYX, 100nA 60V 3W 75@3A,2V 3A 110MHz 240mV@3A,300mA PNP +175-@(Tj) SOT-669 Bipolar Transistors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062960375
Артикул
PHPT60603PYX
Бренд
Nexperia B.V.
Brand:
Nexperia
Вес, г
0.12
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 39 ₽)
Минимальный заказ: 1500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

60 В 1,25 Вт 150 при 500 мА, 2 В 3 А биполярные транзисторы PNP SOT-669 - BJT ROHS

Технические параметры

Brand:Nexperia
Вес, г0.12
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-669
Manufacturer:Nexperia
Package/Case:LFPAK56-5
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:934067879115
Transistor TypePNP
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураpnp
Transistor Polarity:PNP
Operating Temperature-
Collector Current (Ic)3A
Factory Pack Quantity:1500
Power Dissipation (Pd)1.25W
Pd - Power Dissipation:25 W
DC Current Gain hFE Max:250
Transition Frequency (fT)110MHz
Gain Bandwidth Product fT:110 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:8 V
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)150@500mA, 2V
Collector- Base Voltage VCBO:60 V
Continuous Collector Current:-3 A
Maximum DC Collector Current:3 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:150
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:240 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)60V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)240mV@3A, 300mA
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)3
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц110

Техническая документация