Моя заявка (0)

PHPT60603NYX, Транзистор: NPN; биполярный; 60В; 3А; 1,25Вт; SOT669

PHPT60603NYX, Транзистор: NPN; биполярный; 60В; 3А; 1,25Вт; SOT669

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070210163
Артикул
PHPT60603NYX
Бренд
Nexperia B.V.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 55,51 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN High Power BipolarTransistor

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0075
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Вес, г1
Power - Max1.25W
RoHS StatusROHS3 Compliant
REACH StatusREACH Unaffected
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSC-100, SOT-669
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Base Product NumberPHPT60603 ->
ТехнологияSi
Operating Temperature175В°C (TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)3A
Frequency - Transition140MHz
Power Dissipation (Pd)1.25W
Supplier Device PackageLFPAK56, Power-SO8
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Transition Frequency (fT)140MHz
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокLFPAK56-5
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)100@2A, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic270mV @ 300mA, 3A
Current - Collector (Ic) (Max)3A
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 2A, 2V
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)60V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)60V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности25 W
Другие названия товара №934067878115
Размер фабричной упаковки1500
Напряжение эмиттер-база (VEBO)7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)180mV@3A, 300mA
Непрерывный коллекторный ток3 A
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.60 V
Максимальный постоянный ток коллектора3 A
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер70 mV
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.400
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)140 MHz

Техническая документация