PHE13009/DG,127, Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 400 V, 12 A, 80 W, TO-220AB, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000714740
- Артикул
- PHE13009/DG,127
- Бренд
- WeEn Semiconductors
- Вес, г
- 1.95
- Корпус
- TO-220
- Power Dissipation
- 80Вт
- Структура
- npn
Цена по запросу
(от 163 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
PHE13009 является высоковольтным, высокоскоростным, кремниевым NPN силовым транзистором 400В для использования в электронных ВЧ балластах освещения, преобразователях, инверторах, импульсных стабилизаторах и системах управления двигателем. • Температура перехода 150°C • Возможность работы с высокими напряжениями • Низкое тепловое сопротивление • Низкие потери проводимости из-за низкого сопротивления в рабочем состоянии
Технические параметры
| Вес, г | 1.95 |
| Корпус | TO-220 |
| Power Dissipation | 80Вт |
| Структура | npn |
| DC Current Gain hFE Min | 40hFE |
| Continuous Collector Current | 12А |
| Collector Emitter Voltage Max | 400В |
| DC Усиление Тока hFE | 40hFE |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Полярность Транзистора | NPN |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |