Моя заявка (0)

PHD13003C,412, Транзистор биполярный BJT 400 В 2,1 Вт 9 при 1 А, 2 В 1,5 А 1,5 В при 1,5 А, 500 мА NPN +150°C@(Tj) TO-92-3

PHD13003C,412, Транзистор биполярный BJT 400 В 2,1 Вт 9 при 1 А, 2 В 1,5 А 1,5 В при 1,5 А, 500 мА NPN +150°C@(Tj) TO-92-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070819013
Артикул
PHD13003C,412
Бренд
WEEN SEMICONDUCTORS
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Package
Bulk
Вес, г
0.23
Цена по запросу
(от 31,28 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный (BJT) транзистор NPN 400V 1.5A 2.1 Вт со сквозным отверстием TO-92-3

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
PackageBulk
Вес, г0.23
Power - Max2.1W
RoHS StatusRoHS Compliant
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Transistor TypeNPN
Power Dissipation2.1Вт
Структураnpn
Operating Temperature150В°C (TJ)
Collector Current (Ic)1.5A
Power Dissipation (Pd)2.1W
DC Current Gain hFE Min17hFE
Supplier Device PackageTO-92-3
Transition Frequency (fT)-
Continuous Collector Current1.5А
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)5@1A, 2V
Collector Emitter Voltage Max400В
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 500mA, 1.5A
Current - Collector (Ic) (Max)1.5A
Collector Cut-Off Current (Icbo)100uA
Current - Collector Cutoff (Max)100ВµA
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce5 @ 1A, 2V
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)400V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)400V
Полярность ТранзистораNPN
Стиль Корпуса ТранзистораTO-92
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)1.5V@1.5A, 500mA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный

Техническая документация