PHB27NQ10T,118, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 20А; Idm: 112А; 107Вт; D2PAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070181465
- Артикул
- PHB27NQ10T,118
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Type
- 1PCSNChannel
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 107Вт
Цена по запросу
(от 146,80 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
транз: N-MOSFET 100V 28A <0,05Om
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 107Вт |
| Power Dissipation (Pd) | 107W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 30nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.24nF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 28A |
| Drain Source On State Resistance | 0.04Ом |
| Линейка Продукции | TrenchMOS |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 28А |
| Рассеиваемая Мощность | 107Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.04Ом |