Моя заявка (0)
PHB27NQ10T,118

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8023500667
Бренд
Nexperia B.V.
Type
1PCSNChannel
Вес, г
2.5
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
107Вт
Цена по запросу
(от 54 ₽)
Минимальный заказ: 800 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

транз: N-MOSFET 100V 28A <0,05Om

Технические параметры

Type1PCSNChannel
Вес, г2.5
Channel TypeN Channel
Power Dissipation107Вт
Power Dissipation (Pd)107W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)30nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)1.24nF@25V
Continuous Drain Current (Id)28A
Drain Source On State Resistance0.04Ом
Линейка ПродукцииTrenchMOS
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока28А
Рассеиваемая Мощность107Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds100В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263(D2PAK)
Пороговое напряжение на затворе4V@1mA
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.04Ом
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт107
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)50mΩ@14A, 10V

Техническая документация