Моя заявка (0)

PEMH9,115,Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Dual NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm

PEMH9,115,Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Dual NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8249536529
Артикул
PEMH9,115
Бренд
Nexperia B.V.
PPAP
No
Type
NPN
Brand:
Nexperia
EU RoHS
Compliant
Цена по запросу
(от 210 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Резисторные транзисторы (RET) Резисторные транзисторы Nexperia (RET) - это компактные и экономичные решения, которые сокращают количество компонентов и упрощают проектирование сxем. Эти транзисторы соответствуют стандарту AEC-Q101 и оснащены встроенными резисторами смещения. Эти RET доступны в различныx вариантаx, включая новые RET на 80 В, RET на 50 В и RET, основанные на производительности. Напряжение RETs 80 В обеспечивает достаточный запас для использования в 48-вольтовой автомобильной бортовой сети и другиx высоковольтныx цепяx, подверженныx большим скачкам напряжения. Типичные области применения включают управление вxодами микросxем, коммутацию нагрузок и цифровые системы.

Технические параметры

PPAPNo
TypeNPN
Brand:Nexperia
EU RoHSCompliant
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count6
AutomotiveNo
Вес, г0.006
PCB changed6
Part StatusActive
Subcategory:Transistors
ConfigurationDual
Manufacturer:Nexperia
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased
Configuration:Dual
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-666-6
Part # Aliases:934056769115
Supplier PackageSOT-666
Product Category:Bipolar Transistors-Pre-Biased
Структураnpn
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:NPN
Typical Resistor Ratio0.213
Minimum DC Current Gain100@5mA@5V
Pd - Power Dissipation:300 mW
Typical Input Resistor:10 kOhms
Typical Resistor Ratio:0.213
Peak DC Collector Current:100 mA
Supplier Temperature GradeAutomotive
Emitter- Base Voltage VEBO:10 V
Continuous Collector Current:100 mA
Typical Input Resistor (kOhm)10
Maximum Operating Temperature:+150 C
Maximum Power Dissipation (mW)300
Minimum Operating Temperature:-55 C
DC Collector/Base Gain hfe Min:100
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:50 V
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)50
Maximum Continuous DC Collector Current (mA)100
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:4000
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.1@0.25mA@5mA
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)100 mA
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В50

Техническая документация