Моя заявка (0)

PEMD2,115, Транзистор: NPN / PNP; биполярный; BRT,комплементарная пара; 50В

PEMD2,115, Транзистор: NPN / PNP; биполярный; BRT,комплементарная пара; 50В

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024652375
Артикул
PEMD2,115
Бренд
Nexperia B.V.
Brand:
Nexperia
Вес, г
0.01
Subcategory:
Transistors
Manufacturer:
Nexperia
Цена по запросу
(от 22,44 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

60 при 5 мА, 5 В 300 МВт, 100 мА, 50 В 100 На 2 цифровыx транзистора SOT-666 с предварительным смещением PNP, ROHS

Технические параметры

Brand:Nexperia
Вес, г0.01
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Nexperia
Package/Case:SOT-666-6
Product Type:Digital Transistors
Configuration:Dual
Input Resistor22kΩ
Resistor Ratio1
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:934056860115
Transistor Type2 PNP-Pre-Biased
Product Category:Digital Transistors
Структураnpn
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:NPN, PNP
Operating Temperature-
Collector Current (Ic)100mA
Factory Pack Quantity:4000
Power Dissipation (Pd)300mW
Typical Input Resistor:22 kOhms
Typical Resistor Ratio:1
Transition Frequency (fT)180MHz
Peak DC Collector Current:100 mA
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)60@5mA, 5V
Continuous Collector Current:100 mA
Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce)1.7V@5mA, 0.3V
Output Voltage (VO(on)@Io/Ii)-
Input Voltage (VI(off)@Ic,Vce)1.1V@100uA, 5V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-65 C
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:50 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)50V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)150mV@10mA, 0.5mA

Техническая документация