Моя заявка (0)

PEMD12,115, Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, NPN and PNP Complement, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm

PEMD12,115, Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, NPN and PNP Complement, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8496176819
Артикул
PEMD12,115
Бренд
Nexperia B.V.
Pin Count
6
Вес, г
0.05
Package Type
SOT-666
Корпус
SOT666
Цена по запросу
(от 69 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Цифровые биполярные транзисторы NPN (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 47 кОм+47 кОм)+PNP (50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 180 МГц, 47 кОм+47 кОм)

Технические параметры

Pin Count6
Вес, г0.05
Package TypeSOT-666
КорпусSOT666
Mounting TypeSurface Mount
Transistor TypeNPN/PNP
Структураnpn
Base-Emitter Resistor47kΩ
Typical Input Resistor47 kΩ
Typical Resistor Ratio1
Transistor ConfigurationDual
Maximum Power Dissipation200 mW
Number of Elements per Chip2
Maximum DC Collector Current100 mA
Maximum Emitter Base Voltage10 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Emitter Voltage50 V
Линейка ПродукцииPEMD12
Количество Выводов6 Выводов
Монтаж транзистораSurface Mount
Корпус РЧ ТранзистораSOT-666
Резистор База-эмиттер R247кОм
Резистор На входе Базы R147кОм
Напряжение Коллектор-Эмиттер50В
Непрерывный Коллекторный Ток Ic100мА
Полярность Цифрового ТранзистораNPN и PNP
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)100 mA
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В50

Техническая документация