PDTD113ZT,215
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8200680524
- Бренд
- Nexperia B.V.
- ECCN
- EAR99
- RoHS
- Details
- Brand
- Nexperia
- HTSUS
- 8541.21.0095
Цена по запросу
(от 11,85 ₽)
Минимальный заказ: 28 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.25 Вт, 1 кОм+10 кОм
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| RoHS | Details |
| Brand | Nexperia |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Width | 1.4 mm |
| Height | 1 mm |
| Length | 3 mm |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| Packaging | Reel |
| Вес, г | 0.05 |
| Длина | 3мм |
| Power - Max | 250mW |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Subcategory | Transistors |
| Manufacturer | Nexperia |
| Product Type | Digital Transistors |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 1мм |
| Корпус | SOT-23(TO-236)| SOT-23 |
| Ширина | 1.4мм |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part # Aliases | PDTD113ZT T/R |
| Размеры | 3 x 1.4 x 1мм |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Product Category | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Структура | npn с 2 резисторами |
| Base Product Number | PDTD113 -> |
| Transistor Polarity | NPN |
| Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип корпуса | SOT-23 (TO-236AB) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Pd - Power Dissipation | 250mW |
| Typical Input Resistor | 1 kOhms |
| Typical Resistor Ratio | 10 |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Peak DC Collector Current | 500 mA |
| Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V |
| Производитель | Nexperia |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Continuous Collector Current | 500 mA |
| Maximum DC Collector Current | 500mA |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -65 C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Тип транзистора | NPN |
| Число контактов | 3 |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| DC Collector/Base Gain hfe Min | 70 |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 5V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Другие названия товара № | PDTD113ZT T/R |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Типичный входной резистор | 1000 Ом |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 500 mA |
| Типичное входное сопротивление | 1 kOhms |
| Типичный коэффициент резистора | 0.1 |
| Минимальная рабочая температура | -65 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 500 mA |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.25 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Типичный коэффициент деления резистора | 10 |
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 500 мА |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 70 |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 50 V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 230 |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 70 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 70 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 50 |