PDTC123EMB,315, Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8195222168
- Артикул
- PDTC123EMB,315
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Вес, г
- 0.82
- Power Dissipation
- 250мВт
- Структура
- npn
- DC Current Gain hFE Min
- 30hFE
Цена по запросу
(от 46 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 0.82 |
| Power Dissipation | 250мВт |
| Структура | npn |
| DC Current Gain hFE Min | 30hFE |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| Collector Emitter Voltage Max NPN | 50В |
| Линейка Продукции | PDTC123E Series |
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | Single NPN |
| Резистор База-эмиттер R2 | 2.2кОм |
| Резистор На входе Базы R1 | 2.2кОм |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-883B |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 100 mA |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |