PDTC115ET,215
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001916391
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Grade
- Automotive
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.03
- Power - Max
- 250 mW
Цена по запросу
(от 0,97 ₽)
Минимальный заказ: 362 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 100 кОм+100 кОм
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.03 |
| Power - Max | 250 mW |
| Package Type | SOT-23(TO-236AB) |
| Корпус | SOT-23(TO-236AB) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q100 |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
| Typical Input Resistor | 100 kΩ |
| Typical Resistor Ratio | 1 |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Configuration | Single |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum DC Collector Current | 20 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 10 V |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |