Моя заявка (0)

Цифровой биполярный транзистор PDTC114YT NPN 50В 0.1А 0.25Вт

Цифровой биполярный транзистор PDTC114YT NPN 50В 0.1А 0.25Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8040853125
Артикул
PDTC114YT
Бренд
Nexperia B.V.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 3 ₽)
Минимальный заказ: 650 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярный предварительно смещенный / цифровой транзистор, BRT, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 10 ком, 47 ком

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0095
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Pin Count3
Вес, г1
Power - Max250mW
RoHS StatusROHS3 Compliant
Package TypeSOT-23(TO-236AB)
REACH StatusREACH Unaffected
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RoHS CompliantYes
Transistor TypeNPN - Pre-Biased
Base Product NumberPDTC114 ->
Resistor - Base (R1)10 kOhms
Pd - Power Dissipation250mW
Typical Input Resistor10 kΩ
Typical Resistor Ratio0.21, 1
Supplier Device PackageTO-236AB
Transistor ConfigurationSingle
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current100mA
Maximum Emitter Base Voltage10 V
Resistor - Emitter Base (R2)47 kOhms
Maximum Operating Temperature+150 °C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic100mV @ 250ВµA, 5mA
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Current - Collector Cutoff (Max)1ВµA
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Maximum Collector Emitter Voltage50 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage50V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 5mA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)50V

Техническая документация