PDTC114EM,315
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8066698496
- Бренд
- NXP Semiconductor
- Вес, г
- 0.05
- Длина
- 1.02 mm
- Высота
- 0.47 mm
- Ширина
- 0.62 mm
Цена по запросу
(от 11 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения TRANS RET TAPE-7
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Длина | 1.02 mm |
| Высота | 0.47 mm |
| Ширина | 0.62 mm |
| Power Dissipation | 250мВт |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| DC Current Gain hFE Min | 30hFE |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SC-101-3 |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| кол-во в упаковке | 10000 |
| Collector Emitter Voltage Max NPN | 50В |
| Линейка Продукции | PDTC114E Series |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Корпус РЧ Транзистора | DFN1006 |
| Полярность транзистора | NPN |
| Резистор База-эмиттер R2 | 10кОм |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Резистор На входе Базы R1 | 10кОм |
| Другие названия товара № | PDTC114EM T/R |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | DFN1006 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 10 V |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 50В |
| Непрерывный коллекторный ток | 100 mA |
| Непрерывный Коллекторный Ток Ic | 100мА |
| Типичное входное сопротивление | 10 kOhms |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Полярность Цифрового Транзистора | Одиночный NPN |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 100 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Типичный коэффициент деления резистора | 1 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |