PDTB123YT,215, Транзистор: PNP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024652508
- Артикул
- PDTB123YT,215
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.2
- Длина
- 3 mm
- Package Type
- SOT-23
Цена по запросу
(от 10,85 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения TRANS RET TAPE-7
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.2 |
| Длина | 3 mm |
| Package Type | SOT-23 |
| Высота | 1 mm |
| Корпус | SOT-23 |
| Ширина | 1.4 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity | PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 250mW |
| Typical Input Resistor | 2.2 kΩ |
| Typical Resistor Ratio | 0.22 |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Maximum Power Dissipation | 250 mW |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum DC Collector Current | 500mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -50 V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 50V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - С предварительно заданным |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Другие названия товара № | 934058983215 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 500 mA |
| Типичное входное сопротивление | 2.2 kOhms |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Пиковый постоянный ток коллектора | 500 mA |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 50 V |
| Типичный коэффициент деления резистора | 0.219 |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 70 |