Моя заявка (0)

PDTB123ET,215, Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Single PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm

PDTB123ET,215, Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, Single PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8860880219
Артикул
PDTB123ET,215
Бренд
Nexperia B.V.
Case
SOT23, TO236AB
Mounting
SMD
Вес, г
0.01
Длина
3 mm
Цена по запросу
(от 38 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения TRANS RET TAPE-7

Технические параметры

CaseSOT23, TO236AB
MountingSMD
Вес, г0.01
Длина3 mm
Current gain40
ManufacturerNEXPERIA
Polarisationbipolar
Высота1 mm
Ширина1.4 mm
Base resistor2.2kΩ
Kind of packagereel, tape
Collector current0.5A
Power dissipation0.25W
Kind of transistorBRT
Type of transistorPNP
Структураpnp
Base-emitter resistor2.2kΩ
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)500mA
Power Dissipation (Pd)250mW
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Collector-emitter voltage50V
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-23-3
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)40@50mA, 5V
Input Voltage (VI(on)@Ic,Vce)1V@20mA, 0.3V
Input Voltage (VI(off)@Ic,Vce)600mV@100uA, 5V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - С предварительно заданным
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)50V
Полярность транзистораPNP
Другие названия товара №934058976215
Размер фабричной упаковки3000
Непрерывный коллекторный ток500 mA
Типичное входное сопротивление2.2 kOhms
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Пиковый постоянный ток коллектора500 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Типичный коэффициент деления резистора1
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В50

Техническая документация