PD85035-E, RF MOSFET Transistors POWER R.F. N-Ch Trans
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004826972
- Артикул
- PD85035-E
- Бренд
- STMicroelectronics
- Gain:
- 14.9 dB
- Type:
- RF Power MOSFET
- Brand:
- STMicroelectronics
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 4 840 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Gain: | 14.9 dB |
| Type: | RF Power MOSFET |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Output Power: | 35 W |
| Product Type: | RF MOSFET Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerSO-12 |
| Transistor Type: | LDMOS FET |
| Product Category: | RF MOSFET Transistors |
| Структура | N-Channel |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Operating Frequency: | 870 MHz |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 400 |
| Особенности | высокочастотный |
| Pd - Power Dissipation: | 95 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -500 mV, +15 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +165 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |