PD57018S-E, MOSFETs RF POWER transistor, N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004826964
- Артикул
- PD57018S-E
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- PD57018-E
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 4
Цена по запросу
(от 4 770 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | PD57018-E |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 4 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerSO-10RF-2 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высокочастотный |
| Pd - Power Dissipation: | 31.7 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +165 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Forward Transconductance - Min: | 1 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 760 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 65 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 400 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |