PD55015TR-E, RF MOSFET Transistors N-Ch, 12.5V 15W3 Transistor, LDMOST
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004826960
- Артикул
- PD55015TR-E
- Бренд
- STMicroelectronics
- Gain
- 14dB
- Gain:
- 14 dB
- Type:
- RF Power MOSFET
- Brand:
- STMicroelectronics
Цена по запросу
(от 3 310 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
RF Mosfet 12,5 В 150 мА 500 МГц 14 дБ 15 Вт PowerSO-10RF (формованный вывод)
Технические параметры
| Gain | 14dB |
| Gain: | 14 dB |
| Type: | RF Power MOSFET |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Frequency | 500MHz |
| Technology | LDMOS |
| Вес, г | 3 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Output Power: | 15 W |
| Package/Case: | PowerSO-10RF-Formed-4 |
| Product Type: | RF MOSFET Transistors |
| Configuration: | Single |
| Current - Test | 150 mA |
| Package / Case | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad(2 Formed Leads) |
| Power - Output | 15W |
| Voltage - Test | 12.5 V |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Voltage - Rated | 40 V |
| Transistor Type: | LDMOS FET |
| Product Category: | RF MOSFET Transistors |
| Структура | N-Channel |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Operating Frequency: | 1 GHz |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Current Rating (Amps) | 5A |
| Factory Pack Quantity: | 600 |
| Особенности | высокочастотный |
| Pd - Power Dissipation: | 73 W |
| Supplier Device Package | PowerSO-10RF(Formed Lead) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 15 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |