PD55015-E, Транзистор N-МОП, полевой, 40В, 5А, 73Вт, SO10ОмF, 14дБ, 55%, SмT
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8040862574
- Артикул
- PD55015-E
- Бренд
- STMicroelectronics
- Width
- 9.5mm
- Pin Count
- 10
- Вес, г
- 3
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 1 800 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Радиочастотные транзисторы LDMOS подxодят для спутниковыx линий связи L-диапазона, а силовые транзисторы DMOS - для применений в диапазоне от 1 МГц до 2 ГГц.
Технические параметры
| Width | 9.5mm |
| Pin Count | 10 |
| Вес, г | 3 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerSO |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Typical Power Gain | 14 dB |
| Структура | N-МОП |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 73 W |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Operating Temperature | +165 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Continuous Drain Current | 5 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 73 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 10Ом |