PBSS8110T,215, Транзистор NPN, биполярный, 100В, 1А, 480мВт, SOT23-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024650135
- Артикул
- PBSS8110T,215
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Вес, г
- 0.04
- Power - Max
- 480 mW
- Корпус
- SOT-23-3(TO-236)
- Mounting Type
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 84 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
100 В 480 МВт, 150 при 250 мА, 10 В 1 А, биполярные транзисторы NPN SOT-23 - BJT ROHS
Технические параметры
| Вес, г | 0.04 |
| Power - Max | 480 mW |
| Корпус | SOT-23-3(TO-236) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Структура | npn |
| Operating Temperature | - |
| Collector Current (Ic) | 1A |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Power Dissipation (Pd) | 480mW |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transition Frequency (fT) | 100MHz |
| DC Current Gain (hFE@Ic,Vce) | 150@250mA, 10V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 100mA, 1A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Collector Cut-Off Current (Icbo) | 100nA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 150 @ 250mA, 10V |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo) | 100V |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib) | 200mV@1A, 100mA |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |