Моя заявка (0)
PBSS5540Z,115

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062684874
Бренд
Nexperia B.V.
Вес, г
0.05
Длина
6.7 mm
Высота
1.7 mm
Корпус
SOT-223
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 1000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP 40V 5A LO VCESAT

Технические параметры

Вес, г0.05
Длина6.7 mm
Высота1.7 mm
КорпусSOT-223
Ширина3.7 mm
Структураpnp
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-223-3
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности2000 mW
Другие названия товара №934055496115
Размер фабричной упаковки1000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)40 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт2
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)5
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.40 V
Максимальный постоянный ток коллектора5 A
Статический коэффициент передачи тока h21э мин150
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.250 at 500 mA, 2 V
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц120
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)250 at 500 mA, 2 V, 200 at 1 A, 2 V, 150 at 2 A,
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В40
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)120 MHz
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В40

Техническая документация