Моя заявка (0)
PBSS5350Z,135, Транзистор: PNP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024654260
Артикул
PBSS5350Z,135
Бренд
Nexperia B.V.
Вес, г
0.73
Длина
6.7 mm
Высота
1.7 mm
Ширина
3.7 mm
Цена по запросу
(от 42,98 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT TRANS BISS TAPE-13

Технические параметры

Вес, г0.73
Длина6.7 mm
Высота1.7 mm
Ширина3.7 mm
Transistor TypePNP
Power Dissipation1.35Вт
Структураpnp
Transistor PolarityPNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)3A
Pd - Power Dissipation1.35W
Power Dissipation (Pd)2W
DC Current Gain hFE Min200hFE
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Transition Frequency (fT)100MHz
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-223-3
Continuous Collector Current3А
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)100@2A, 2V
Maximum DC Collector Current3A
Collector Emitter Voltage Max50В
Collector Cut-Off Current (Icbo)100nA
DC Усиление Тока hFE200hFE
Collector-Emitter Breakdown Voltage50V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов4вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)50V
Полярность транзистораPNP
Pd - рассеивание мощности2000 mW
Другие названия товара №934056527135
Размер фабричной упаковки4000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-223
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)300mV@2A, 200mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.50 V
Максимальный постоянный ток коллектора3 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)100 MHz

Техническая документация